昨日,iqoo 3 5g首发ufs 3.1闪存,调试信息显示芯片颗粒来自三星。
事实上,上周西部数据也推出了符合jedec最新规范的ufs 3.1闪存,品名inand mc eu521 ,引入第六代smartslc缓存技术,写速最高可达800mb/s,且号称容量满载时也不掉速。
本周,铠侠(kioxia,原东芝存储)宣布开始出样ufs 3.1嵌入式flash闪存芯片。
新闪存基于东芝bics 3d存储技术打造,设计容量包括128gb、256gb、512gb和1tb,比西数eu521丰富,主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内。
关于性能,铠侠未给出具体数据,但表示写速是ufs 3.0的2~3倍,连续读速比ufs 3.0提升30%,引入hpb改善随机读取性能,睡眠模式下功耗更低,温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。
铠侠指出,东芝是最早在2013年推出ufs的厂商,去年也是第一波提供ufs 3.0产品的企业。
作者:万南编辑:万南来源:快科技